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我们采用坩埚下降法,以高纯度的Bi、Sb(99.999％)为原料,在电阻加热炉内,真空度为10~(-2)mmHg,高纯度氩气保护下,生长出高均匀合金结构的无掺杂富铋N型Bi_(88)Sb_(12)合金单晶体。测试了Bi_(88)Sb_(12)晶体的性能,对生长中出现的问题进行了讨论。
坩埚下降法生长Bi88Sb12单晶体
【摘 要】
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我们采用坩埚下降法,以高纯度的Bi、Sb(99.999％)为原料,在电阻加热炉内,真空度为10~(-2)mmHg,高纯度氩气保护下,生长出高均匀合金结构的无掺杂富铋N型Bi_(88)Sb_(12)合金单晶
【机 构】
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黑龙江省科学院技术物理研究所,哈尔滨工业大学应用化学系
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1990年3期
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