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,100-nm T-gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with fT =249 GHz and fmax =415 GHz
【机 构】
：
Microware Devices and Integrated Circuits Department, Key Laboratory of Microelectronics Device and
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2014年3期
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