【摘 要】
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本文概述了高阻低迁移率薄膜半导体材料漂移迁移率的测量原理以及实现该参数测量的具体方法。测量方法的特殊性是由材料的高电阻率和低迁移率性质所决定的。所获得的结果说明
【机 构】
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清华大学无线电电子学系,清华大学无线电电子学系,
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本文概述了高阻低迁移率薄膜半导体材料漂移迁移率的测量原理以及实现该参数测量的具体方法。测量方法的特殊性是由材料的高电阻率和低迁移率性质所决定的。所获得的结果说明了方法的可行性。最后讨论了进一步改进测试方法的方向。
This paper summarizes the measurement principle of drift mobility of high resistance and low mobility thin film semiconductor materials and the concrete method of measuring this parameter. The particularity of the measurement method is determined by the high resistivity and low mobility properties of the material. The results obtained illustrate the feasibility of the method. Finally, the direction of further improving the test method is discussed.
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