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本文报道了一种对莠去津有识别特性的分子印迹膜的制备，即在含和不含模板分子（莠去津）的情况下，通过循环伏安技术在金电极表面沉积2-巯基苯并咪唑，制备了2-巯基苯并咪唑聚合膜。利用循环伏安法对印迹和非印迹膜行为进行了评价，对分子印迹膜的影响因素进行了筛选和优化。实验表明，该分子印迹膜对莠去津具有良好的选择性和灵敏度。莠去津的还原峰电流与莠去津的浓度在1．2×10^-8mal／L～8．0×10^-5mol／L范围内具有良好的线性关系（r=0．99862），检出限可达3．0×10^-