基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：longzhi2009

【摘要】

：

分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺，并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料，这种工艺能精确地控制微结构的尺寸．利用多孔硅作牺

【作者】

：

周俊王晓红姚朋军董良刘理天

【机构】

：

清华大学微电子学研究所,沈阳师范大学信息技术学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年7期

【关键词】

：

加速度传感器多孔硅微加工牺牲层微机电系统 accelerometerporous siliconmicromachiningsacrificial la

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划项目 (No.G19990 3 3 10 8),,清华大学 985基础研究基金 (No.19992 5 0 0 1)资助项目~~

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分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺，并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料，这种工艺能精确地控制微结构的尺寸．利用多孔硅作牺牲层工艺，使用加人硅粉和(NH4)2S2O8的TMAH溶液通过在薄膜上制作的小孔释放多孔硅，能很好地保护未被覆盖的铝线．该工艺和标准的CMOS工艺完全兼容．

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