【摘 要】
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通过优化ZnO缓冲层（bufferlayer），有效地改善了由金属有机化学气相沉积（MOVCD）法制备的ZnO：B薄膜的光电特性。结果表明，“富氧”的缓冲层有效增加了ZnO：B—TCO的近红外区域透过率，使其
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室
【基金项目】
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基金项目：国家“973”重点基础研究（2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707）、国家高技术研究发展计划（2009AA050602,2011AA050503）、科技部国际合作（2009DFA62580）、天津市应用基础及前沿技术研究（09JCYBJC06900）和中央高校基本科研业务费专项资金（65010341）资助项目
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通过优化ZnO缓冲层（bufferlayer），有效地改善了由金属有机化学气相沉积（MOVCD）法制备的ZnO：B薄膜的光电特性。结果表明，“富氧”的缓冲层有效增加了ZnO：B—TCO的近红外区域透过率，使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求。经过优化的ZnO：B，“类金字塔”状晶粒尺寸约300～500nm，波长550nm处绒度（haze）为10．8％，薄膜电子迁移率为20．7cm2／Vs，电阻率为2．14×10^-3Ω·cm，载流子浓度为1．41×10^20 cm^-3，且
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