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在对光电流失控分析的基础上,讨论了硅光敏三极管的二次击穿转折电流IM(无光照)与器件工作稳定性的关系。提出了用IM值作为表征器件稳定工作范围的参数。光电流失控过程的初始阶段为光电流上漂。待到达一定值时发生激增,并伴随BVCE突然下跌,亦即发生二次击穿。对光敏三极管的各种光照二次击穿的分析表明,这种不稳定性与高阻率硅材料反型所形成的NPNP模式击穿机理有关。讨论了器件的安全(稳定)工作区域(ⅤCE～ICE区域)问题。在二次击穿限之前存在一个相当宽的光电流漂移区。因此光敏三极管的实际安全工作区明显小于发生二次击穿所决定的界限。这一结果与M.Latif等人对普通双极晶体管所提的安全工作范围有一定的差异。提出了相应的设计上的改进,以使硅光敏三极管达到较高的IM值,从而确保足够的安全工作区域。将成品光敏三极管按一定的稳定性要求剔除IM
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