【摘 要】
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用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精
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用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0W的条件下 ,获得了重复性很好的p型ZnO ,且载流子浓度最大可达 1.2× 10 19cm-3 ,迁移率为 0 .0 5 35cm2 ·V-1·s-1,电阻率为 9.5Ω·cm。
A p-type zinc oxide thin film was epitaxially grown on the c-plane of sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy (P MBE). In the experiment, high-purity zinc metal was used as Zn source, NO as O-source and doping source, and growth was carried out by RF plasma activation. Under the conditions of a growth temperature of 30 0 ℃, a NO gas flow rate of 1.0sccm, and a RF power of 30 0W, a highly reproducible p-type ZnO was obtained with a maximum carrier concentration of 1.2 × 10 19 cm -3. The rate was 0.055 cm2 · V-1 · s-1 and the resistivity was 9.5 Ω · cm.
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