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采用二乙基锌（DEZn）和氧化亚氮（N2O）作为锌源和氧源，在低温300℃，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法在Si（100）衬底上制备了ZnO薄膜。通过优化氧锌比，ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长。由光致发光谱和反射谱得知，ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm，具有很好的光透性，且其PL谱半峰宽为80meV。