纳米集成电路中镍基CMP工艺

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mail1631987
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机械化学抛光(CMP)工艺普遍应用于纳/微机械制造中,特别是复杂的层状结构MEMS。鉴于镍及镍基合金具有高的沉积速率、可控的薄层应力、低的电阻和制备温度以及机械特性,本文研究了镍及镍基合金用于具有运动结构的纳/微EMS器件的可行性,重点研究了基于镍的CMP工艺,其电化学势的变化用电动势极化曲线进行了分析,镍膜层表面用XPS和SEM进行了分析,结果表明:镍的刻蚀速率随着双氧水和缓蚀剂EDTA浓度中加而增加,在双氧水浓度在1%左右时达到最大。其刻蚀过程的动态和静态的电动势极化曲线具有明显不同,XPS分析表明:
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