【摘 要】
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基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路.采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积.采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿.采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比.使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进行仿真.结果 表明,当温度范围为-40℃～125℃时,基准电压为1.146 V,温度系数为1.025×10-5℃-1.在27℃时,静态电流为6.57 μA,PSRR分别为--96.64 dB@100 Hz、-93.94 dB@10 kHz.电源电压在2.9～5
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院,重庆400065;模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060;模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆4000
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基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路.采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积.采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿.采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比.使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进行仿真.结果 表明,当温度范围为-40℃～125℃时,基准电压为1.146 V,温度系数为1.025×10-5℃-1.在27℃时,静态电流为6.57 μA,PSRR分别为--96.64 dB@100 Hz、-93.94 dB@10 kHz.电源电压在2.9～5 V范围变化时,基准电压的线性调整度为0.047％.该电路适用于低功耗、高精度的模拟集成电路.
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