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利用直流磁控溅射技术制备了三元硼碳氮（BCN）薄膜，通过改变靶功率（70W和210W）和基体偏压（-50V～-400V）得到不同成分和组织结构的薄膜。采用x射线光电子能谱仪和傅立叶红外光谱仪分析了薄膜的成分和结构。结果表明：靶功率增加使得薄膜成分发生改变，而基体偏压改变对薄膜中各元素的原子百分含量几乎没有影响；基体偏压的增加会引起高能粒子对基体的轰击作用增强，有利于薄膜中B—N键的形成，而且轰击能量越高越有利于sp3杂化的B—N键形成。