高功率密度30V功率晶体管

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30V表面贴装功率晶体管采用STripFET VI DeepGATE制造工艺,大大提高单元密度,新产品具有出色的导通电阻。首批产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5mm×6mm PowerFLAT封装,单位面积导通电阻达到极低;STD150N3LLH6采用DPAK封装,导通电阻为2.4mQ。
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