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该文介绍了使用改进的PECVD薄膜沉积设备,制备出掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,并在此基础上制备了纳米硅/晶体硅(nc-Si/c-Si)异质结;研究了其光学和电学特性.实验表明nc-Si/c-Si异质结具有良好的光电转换性能和稳定性,适用于制造太阳电池.
适用于太阳电池的nc-Si:H薄膜及 nc-Si/c-Si异质结的研究
【摘 要】
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该文介绍了使用改进的PECVD薄膜沉积设备,制备出掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜,并在此基础上制备了纳米硅/晶体硅(nc-Si/c-Si)异质结;研究了其光学和电学特性.实验表明nc-Si/c
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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2003年z1期
【基金项目】
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浙江省自然科学基金资助项目(599106)
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