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用激光照射辅助电化学刻蚀硅锗合金样品能够形成多种低维纳米结构.在硅锗合金上形成的多孔状结构在波长为725 nm处有很强的光致发光（PL）峰,PL的增强效应不能单独用量子受限模型来解释.我们提出新的模型来解释这种低维纳米结构的PL增强效应.
多孔硅锗的制备及其近红外发光增强
【摘 要】
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用激光照射辅助电化学刻蚀硅锗合金样品能够形成多种低维纳米结构.在硅锗合金上形成的多孔状结构在波长为725 nm处有很强的光致发光（PL）峰,PL的增强效应不能单独用量子受限模型
【机 构】
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贵州大学理学院
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2007年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（10547006）
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