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常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H 薄膜进行低能量高剂量的C^＋注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X......
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为了解决航空发动机的温度检测问题,提出了一种以聚合物先驱体陶瓷SiCN(PDC-SiCN)为传感器介质材料的无线无源温度传感器,并搭建了......
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介绍了热解法制备前驱体陶瓷材料的工艺特点，综述了Fe改性SiCN前驱体陶瓷的研究进展，并时其应用前景进行了展望。......
常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜进行C^＋注入，能量为30keV，剂量为2×10^17cm^-2．对C＋注入的SiNx薄膜在......
本文以SiCN、SiCNAl和SiBCN多元非晶态陶瓷为例,总结了非晶态陶瓷当前发展现状和应用不同方法合成陶瓷的工艺,比较了各种方法的优......
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