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由高纯铌制成的射频超导谐振腔在高场时会出现Q值下降现象,这是高场下超导腔表面局部磁场增强所致.为研究高场下超导腔表面的电磁场特性,用单cell超导腔设计了腔表面峰值磁场的研究实验.通过对单cell超导腔表面峰值磁场的测量,可以确定超导腔焊缝及iris附近表面是否存在缺陷,以便进一步进行腔的处理来改进腔的性能.