微量MgO掺杂对GAGG∶Ce晶体光学和闪烁性能的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pingwuse

【摘要】

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共掺杂离子是优化晶体闪烁性能的重要手段之一,本文采用提拉法生长了GAGG∶Ce和GAGG∶Ce,0.1%Mg晶体。通过测试硬度、透过率、X射线激发发射(XEL)谱和符合时间分辨率等方法研

【作者】

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祁强孟猛丁栋舟赵书文施俊杰任国浩

【机构】

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上海理工大学材料科学与工程学院,中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院大学材料与光电研究中心,南京航空航天大学航天学院,中国科学院海西创新研究院

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2021年1期

【关键词】

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镓铝酸钆石榴石共掺杂光产额时间分辨率闪烁性能 gallium aluminum gadolinium garnet co-doping lig

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61675095),“中国科学院关键技术人才”项目(Y74YQ3130G),中科院上海硅酸盐研究所科技创新重点项目(Y74ZC5152G),海西研究院自主部署项目(FJCXY18040202),上海市科学技术委员会基金(20511107400)资助项目

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共掺杂离子是优化晶体闪烁性能的重要手段之一,本文采用提拉法生长了GAGG∶Ce和GAGG∶Ce,0.1%Mg晶体。通过测试硬度、透过率、X射线激发发射(XEL)谱和符合时间分辨率等方法研究了微量MgO掺杂对GAGG∶Ce光学及闪烁性能的影响。GAGG∶Ce和GAGG∶Ce,Mg的维氏硬度平均值分别为1430 kg/mm2和1420.4 kg/mm2,表明Mg2+的掺杂几乎没有对GAGG∶Ce的硬度产生影响。XEL谱结果表明,共掺杂Mg2+后GAGG∶Ce晶体的发光峰值波长约为540 nm,但5d1→2F5

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