【摘 要】
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基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西
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基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的Δi能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGex中的Δi能级大小不同于弛豫Si1-xGex的Δ1能级,而二者的横向、纵向有效质量(m1*,mt*)相同.Δi和Δ1能级之差由形变势理论确定.最后,描述了双轴应变下外延层材料的导带带边特征.
Based on the symmetry analysis, the chromatic dispersion near the Δi valley of strained Si1-xGex (0≤x <0.45) / (001), (111) and (101) Si was determined by the KP perturbation theory.The results show that the strain Si1 The magnitude of the Δi energy level in -xGex is different from the Δ1 energy level of the relaxed Si1-xGex, and both the horizontal and vertical effective masses (m1 *, mt *) are the same. The difference between Δi and Δ1 energy levels is determined by the theory of metaphor potential Finally, the conduction band edge characteristics of biaxial strained epitaxial layer material are described.
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