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GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高的太阳能电池。在磁场下生长硅和Ⅲ-Ⅴ族化合物半
水平磁场中GaSb单晶的生长
【摘 要】
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GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京有色金属研究总院100088,100088,100088
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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1993年6期
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