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发展了一种显示与估算氮化镓（GaN)位错密度的光辅助湿法刻蚀与原子力显微镜相结合的方法。所用GaN采用射频等离子体辅助的分子束外延技术（RF-plasma MBE)生长，腐蚀液为KOH水溶液。结果发现，使用5.0M的KOH溶液刻蚀5分钟的GaN，其AFM图谱上出现了非常明显的“小坑”，且“小坑密度”的量级与GaN样品的位错密度量级相当。采用X-ray衍射的二维三轴图谱（TDTAM）研究GaN的马塞克柱状生长与缺陷，并延用文献报道的方法估算其位错密度，所得位错密度的结果与“小坑密度”一致，验证了“小坑”即为