计算GaAs MESFET器件源电阻的新方法

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bingdongfenxing

【摘要】

：

采用一种直接估算微波GaAs MESFET源电阻Rs的方法.理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的,由此推导出Rs相关的解析表达式.可在任何测量频率下采用解析方法计

【作者】

：

顾聪

【机构】

：

西安微电子技术研究所710054

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

砷化镓金属-肖特基势垒场效应晶体管源电阻信号模型 GaAs MESFET optimization source resistance small sig

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采用一种直接估算微波GaAs MESFET源电阻Rs的方法.理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的,由此推导出Rs相关的解析表达式.可在任何测量频率下采用解析方法计算出高精度的Rs.把Rg、Rd与Rs的比率以及Ld、Lg与Ls的比率作为优化参数,计算等效电路中的元件值相当快,且不依赖于初始值.等效电路与测量的S参数拟合得相当好,而且计算出的元件都有物理意义.

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