【摘 要】
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绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator,GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,同时其独
【机 构】
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闽南理工学院,厦门大学物理系,厦门大学化学化工学院
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绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator,GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,同时其独特的全介质隔离结构可以避免短沟道效应,降低寄生电容和结漏电流.首先研究不同表面处理方法对体Ge与SiO2/Si晶片键合强度的影响,实验结果显示采用N2等离子体活化处理结合氨水溶液（NH4OH∶H2O=1∶10）亲水性处理,所得到的体Ge与SiO2/Si晶片的键合效果较好,其键合强度〉
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