晶片键合相关论文
主要研究了阳极键合过程中键合强度与键合温度、键合电压、键合晶片的平整度和表面粗糙度、晶片表面清洁度、玻璃片厚度及表面亲水......
为了实现集成硅基光源, 研究了基于湿法表面处理的InP/SOI直接键合技术。采用稀释的HF溶液对InP晶片进行表面活化处理, 同时采用Pi......
硅基键合III-V 材料激光器，作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件，近年来引起了人们的高度重视并得到了广......
采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN......
本文从MEMS器件的真空封装要求出发，着重介绍了MEMS真空葑装中的器件级真空封装、圆片级真空封装以及真空吸气剂的应用三项关键技术......
晶片键合技术是一种能够实现异质兼容的有效方法，已经受到了相关领域的广泛关注。经过了十几年的发展，晶片键合技术现在已经被使用到......
该论文的主要研究内容为拓展InGaAs/GaAs量子阱的波谱范围和提高AlGaInP/GaAs LED器件的发光效率.第一,讨论了1064nm半导体激光器......
GaN以及GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物因其特有的宽带隙而具有的优良的电学、光学性质和优异的材料机械性,使其在光学器件、电子器件以及特殊......
论文的主要工作如下:1.对键合技术的历史、现状,键合的方法以及键合技术在不同领域内的应用进行了系统的总结.2.由于GaAs、InP晶片......
本论文对GaAs基RCE光探测器的微机械调谐与响应波段的拓展，进行了深入系统的理论和实验研究，主要内容包括(其中黑体加下划线的内容为......
我们从研究表面处理溶液，以及简单可行的检测手段入手，探索一种成本低廉而Ⅰ行之有效的低温键合工艺。论文的主要工作如下：1.键合技术......
本论文对于利用异质外延技术来实现大失配材料单片异质兼容和利用低温晶片键合技术来实现大失配材料的准单片异质兼容的若干理论机......
利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射......
济南晶正电子科技有限公司成立于2010年,位于济南章锦综合保税区,是一家致力于纳微米级厚度光电、压电单晶薄膜材料研发、生产及销......
提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术......
ROHM面向汽车领域开发出业界首款完全无银的高亮度红色LEDSML-Y18U2T,非常有助于汽车刹车灯等在严酷环境下使用的应用的可靠性高提......
简单介绍了晶片键合的基本原理,指出了实现低温晶片键合的必要性;通过对比低温晶片键合技术的实现方式及其在通信光电子器件中的应......
简要分析了MEMS(微机电系统)器件封装的难点所在,随后介绍了晶片键合,晶片级密封,倒装芯片技术等主要的MEMS封装技术.......
利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实......
叙述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法,分析了实现长波长垂直腔型器件的难点.最后介绍了晶片键合技术在长波长垂直腔......
针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm......
利用红外透射原理,即根据键合晶片中键合部分可以透光而未键合部分几乎不能透光的原理,同时采用冷光源的独特方法构建了键合质量测......
基于晶片的红外透射原理，设计并搭建了晶片直接键合质量红外检测装置，并利用图像处理技术开发了相应的软件模块，可以快速获取键合界面......
本文以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3-μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜......
用直接键合技术在480℃实现了InP／GaAs真的异质键合，用X射线光电子谱研究了样品的界面化刺学态。研究分析表明，InP／GaAs样品在480℃的......
绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator,GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材......
利用光学薄膜原理，计算了采用晶片键合技术来提高以GaAs为衬底的立方相GaN的出光效率的理论可行性，以Ni为粘附层，Ag为反射层的Ni/Ag/A......
由最小能量原理导出的键合条件出发，利用线性薄板理论，在同一理论模型框架下，通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率，分析了晶片......
提出一种新的基于硫化物表面处理的InP／GaAs低温晶片键合技术．在360℃的退火温度下，获得了1．2MPa的键合强度．基于这种低温键合技术，可将......
2007年6月26日奥地利弗洛里安的Ev Group公司高兴地宣布了VLSI Research今年举办的客户满意度调查结果。自2003年以来EVGroup已经......
采用光学传输矩阵方法,详细分析了反射镜以及键合界面的吸收对垂直腔面发射激光器光学特性的影响.结果表明,反射镜以及键合界面的......
采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗.通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了VC......
针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共......
作为拥有世界领先水平的晶片键合机械设备与键合服务的一家企业,应用微工程有限公司（下称AML）日前宣布正式启动花费百万英镑打造的键......
SUSS Micro Tec是一家总部位于德国慕尼黑的半导体生产和测试设备制造商，其设备主要应用于先进封装、纳米技术、化合物半导体、SOI......
采用扫描电镜（SEM）和电子背散射衍射（EBSD）技术，观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。利用EBSD测量了GaAs—......
超高温环境下压力参数的原位测试在航空航天、环境能源、采矿冶金、生物医学等领域有着广泛的需求,尤其在先进发动机领域。譬如,高......
本论文是根据国家重点基础研究发展计划(973计划)项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”(项目编号......
本论文工作是围绕任晓敏教授任首席科学家的国家重点基础研究发展规划项目(973计划项目)“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要......
本论文工作是围绕任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展规划项目(973计划项目)“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要......
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察......
介绍了集成光隔离器近年来的研究成果,并对其原理作了讨论,同时还讨论了光隔离器与半导体材料实现集成的途径。
The research res......
