【摘 要】
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本文采用反射式高能电子衍射(RHED)监测脉冲激光沉积法制备钛酸铅薄膜过程。根据PbTi03/MgO(001)薄膜、PbTiO3/Si(100)薄膜生长过程中RHEED强度的时间演变,分析基片对薄膜生长模式的影
【机 构】
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同济大学物理系,中国工程物理研究院激光聚变研究中心
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本文采用反射式高能电子衍射(RHED)监测脉冲激光沉积法制备钛酸铅薄膜过程。根据PbTi03/MgO(001)薄膜、PbTiO3/Si(100)薄膜生长过程中RHEED强度的时间演变,分析基片对薄膜生长模式的影响。并且观测不同生长时刻的RHEED强度的空间分布,讨论生长过程中薄膜表面的台阶尺寸变化。另外,比较在不同氧分压下沉积的钛酸铅薄膜表面的RHEED图案,发现氧气将改变薄膜的微结构,提高薄膜的结晶性。
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