【摘 要】
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用射频磁控溅射在单晶氧化铝基片上制备钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜。研究溅射功率、基片温度、靶基距、溅射气压、气氛组成、溅射时间等溅射参数、热处理条件对薄膜表面形貌及生长过程的影响,测试薄膜的介电常数、介电损耗及介电常数随外加偏置电场的变化。结果表明:靶基距为100 mm,溅射功率为300~320 W,气氛压力为0.8 Pa,氩氧比为5∶1时,沉积时间在2~4 h,沉积速率适中,薄膜致密性好,厚度约为0.8~1.0μm;600℃热处理30 min得到晶粒为纳米尺寸且结构致密的BST薄膜;
【机 构】
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浙江医药高等专科学校,中国兵器科学研究院宁波分院,归创通桥医疗科技股份有限公司
【基金项目】
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总装备部预先研究项目(62201070307),内蒙古自然科学基金(2018MS05017)。
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用射频磁控溅射在单晶氧化铝基片上制备钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜。研究溅射功率、基片温度、靶基距、溅射气压、气氛组成、溅射时间等溅射参数、热处理条件对薄膜表面形貌及生长过程的影响,测试薄膜的介电常数、介电损耗及介电常数随外加偏置电场的变化。结果表明:靶基距为100 mm,溅射功率为300~320 W,气氛压力为0.8 Pa,氩氧比为5∶1时,沉积时间在2~4 h,沉积速率适中,薄膜致密性好,厚度约为0.8~1.0μm;600℃热处理30 min得到晶粒为纳米尺寸且结构致密的BST薄膜;
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