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High Power SiGe X-Band （8-10GHz） Heterojunction Bipolar Transistors and Amplifiers
【机 构】
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DepartmentofElectricalandComputerEngineering,NASA-GlennResearchCenter
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年2期
【基金项目】
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Project supported by the NSF （No. ECS 0323717）
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