异质结n^＋多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：seven16

【摘要】

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从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P^＋离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P^＋离子注入及扩散进行掺杂,得到的

【作者】

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郭辉冯倩汤晓燕张义门张玉明

【机构】

：

西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

欧姆接触 SiC 多晶硅比接触电阻 P^+离子注入 ohmic contact silicon carbide polysilicon specific

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：60476007）和西安应用材料创新基金（批准号：XA-AM-200704）资助项目

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从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P^＋离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P^＋离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n^＋多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10^-5Ω.cm^2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n^＋多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.

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