InGaAs／InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究

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【摘要】

：

为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验.将能量1～2MeV、注量1～5×1013 cm

【作者】

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刘超李国辉韩德俊姬成周陈涌海叶小玲

【机构】

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北京师范大学低能核物理研究所,中国科学院半导体所

【出处】

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北京师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2001年2期

【关键词】

：

半导体激光器量子阱混合波长蓝移 INGAAS/INGAASP 光致发光谱 quantum well intermixing blue-shift in w

【基金项目】

：

国家自然科学基金，北京市科技新星计划项目

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为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验.将能量1～2MeV、注量1～5×1013 cm-2的P+注入到实验样品后，在700℃下快速热退火90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm.蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大，并且能量比注量对蓝移的影响更大.

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