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结合DVS和ABB技术，同时调整工作电压Vdd和衬底偏置电压Vbs的方法能有效降低深亚微米功耗．在解析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的Vdd，Vbs简化模型．模型中任意频率下对应的优化Vdd，Vbs值中之一为常数，避免了解析方法中的超越方程求解．文章进一步对不同电容时简化模型中的参数提出了近似估计方法SEM．0．18μm和0．07μm工艺参数下模拟试验表明，采用简化模型以及SEM估计方法得到的优化功耗值与解析方法得到的结果十分接近，最大误差为2％和5％，平均误差为0．8％和1％．模拟实验表明本文的模