【摘 要】
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本文提出了工作电流达10A的VVMOS场效应管的设计方案、制造方法,并给出管子特性曲线.一九八四年七月二日至四日.由电子工业部器件工业总公司主持,在西安召开了部级鉴定会,一
【机 构】
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本文提出了工作电流达10A的VVMOS场效应管的设计方案、制造方法,并给出管子特性曲线.一九八四年七月二日至四日.由电子工业部器件工业总公司主持,在西安召开了部级鉴定会,一致通过了VN系列VVMOS大功率场效应管生产鉴定.
In this paper, the design scheme and manufacturing method of VVMOS field effect transistor with operating current up to 10A are presented, and the tube characteristic curve is given. From July 2 to July 4, 1984, hosted by Device Industry Corporation of the Ministry of Electronics Industry, Xi’an held a ministerial appraisal meeting, unanimously adopted the VN series VVMOS high-power FET production appraisal.
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