Co／a—GeSi／Ti／Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi2薄膜

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hncry

【摘要】

：

研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄膜,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应.

【作者】

：

徐蓓蕾屈新萍韩永召茹国平李炳宗 W.Y.Cheung

【机构】

：

复旦大学微电子学系,香港中文大学电子工程系,香港城市大学物理和材

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

金属硅化物固相外延扩散阻挡层晶格失配 Co/Ti/Si结构钴钛硅化合物 metal silicide solid phase epitaxy diff

【基金项目】

：

上海市教委资助项目，上海市教委"曙光计划"，高等学校博士学科点专项科研项目，国家自然科学基金

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研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄膜,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应.采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试.实验表明,利用Co/GeSi/Ti/Si固相反应形成的CoSi 2薄膜具有良好的外延特性和电学特性,Ti中间层和非晶GeSi中间层具有促进和改善Co Si2外延质量,减少衬底耗硅量的作用.Ge原子的存在能够改善外延CoSi2薄膜的晶格失配率.

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