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研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄膜,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应.采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试.实验表明,利用Co/GeSi/Ti/Si固相反应形成的CoSi 2薄膜具有良好的外延特性和电学特性,Ti中间层和非晶GeSi中间层具有促进和改善Co Si2外延质量,减少衬底耗硅量的作用.Ge原子的存在能够改善外延CoSi2薄膜的晶格失配率.