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从磁参数（饱和磁化强度，磁晶各向异性场）温度稳定性出发，对六角铁氧体ＲＡＭ的温度稳定性进行了讨论；通过对Ｍ、Ｗ型六角铁氧体在温度ｔ＝１８～１００℃，频率ｆ＝８～１２ＧＨｚ时吸收率Ｒ（Ｒ～ｆ）的温度稳定性和材料起始磁导率μ、随温度的变化曲线（μ１～ｔ）的测试，得到单轴六角铁氧体材料Ｒ－ｆ的温度稳定性优于平面六角缺氧体材料，并且和材料的μ１～ｔ变化规律吻合较好的结果。