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采用弹道电子发射显微术（ＢＥＥＭ）技术对超薄ＰｔＳｉ／Ｓｉ、ＣｏＳｉ２／Ｓｉ肖特基接触特性进行了研究，并与电流－电压（Ｉ－Ｖ）及电容－电压（Ｃ－Ｖ）测试结果进行了对比。
用弹道电子发射显微术研究超薄金属硅化物／硅肖特基接触
【摘 要】
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采用弹道电子发射显微术（ＢＥＥＭ）技术对超薄ＰｔＳｉ／Ｓｉ、ＣｏＳｉ２／Ｓｉ肖特基接触特性进行了研究，并与电流－电压（Ｉ－Ｖ）及电容－电压（Ｃ－Ｖ）测试结果进行了对比。
【机 构】
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复旦大学电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2000年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!(批准号 697760 0 5),,国家科委—比利时弗兰德科技部合作资助项目
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