双注入相关论文
对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。
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利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO_2/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,......
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时......
测量了用离子注入方法将La、O双注入硅基样品在室温下的光致发光(PL)谱，实 验结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范......
新型双极结型场效应晶体管 (BJFET)兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。文中分析推导出该新型器件的直流特性 ,然后使用 P......
期刊
利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si......
研究了一种ＢｉＣＭＯＳ新技术，基区和发射区均通过发射极多晶注入，使形成的基区更浅，更窄；通过等平面氧化形成的鸟嘴，将版图设计中３．０μｍ，的发射极条宽“......
新型双极结型场效应晶体管（BJFET）兼有双极型和单极场效应两种器件的功能特点。文中分析推导出该新型器件的直流特性，然后使用PSpice......
选用强碳化物形成元素钽作为金属蒸汽真空弧离子源(metal vapor vacuum arc,简称MEVVA)的阴极,对H13钢进行了钽离子注入表面改性研......
设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n^＋-π-n^＋晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时......
对新型双注入结型场效应晶体管(BJFET)的器件结构和工作原理进行了描述,对器件的阻断能力进行了理论分析和计算机模拟,并取得了一......
描述了静电感应晶闸管（SITH）的优点、应用前景、结构特点及负阻转折特性。从SITH的作用机理出发,分别分析了导致负阻转折出现的几种......
为在金属中形成所需要的合金或金属间化合物而采用双重离子注入技术.2种注入离子注入能量和注量需要合理匹配.还考虑了溅射效应和......
利用金属蒸气真空弧离子源,将硅和铒离子先后注入到单晶硅中,经快速退火制备出(Si,Er)双注入单晶硅发光薄膜.RBS分析表明铒原子分......
用多次扫描电位法研究了金属Ti与C双注入抗腐蚀和抗点蚀钝化层生成的条件,用扫描电子显微镜观察了腐蚀坑,发现注入层表面已经形成......
对新型半导体器件－双注入结型场效应管的电流－电压特性进行了详细分析，并得出解析表达式，为该器件的设计和应用提供了理论依据。......
利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜。掺杂到热氧化SiO2/Si......
研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活......
比较了Si~+ 单注入和Si~+ 、Mg~+(隐埋)双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg~+隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有......
传统的反馈环路增益仿真方法基于有源双端口网络，分析复杂，不利于快速得到环路的定量分析。介绍一种新型的基于双注入算法（Double Inj......
利用金属蒸发真空孤（ＭＥＶＶＡ）离子源将Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入到不同厚度热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄膜，获得高浓度Ｅｒ掺杂硅基发光薄膜。ＲＢＳ分析表明，稀土元素Ｅｒ离子掺杂到热氧化ＳｉＯ２／Ｓｉ薄......
研究了影响双注入技术的各种因素及双注入技术的灵敏度,并与C—V技术进行比较。结果表明,双注入技术不仅克服了C-V技术的缺点,而且......
