采用弹道电子发射显微术 ( BEEM)技术对超薄 Pt Si/Si、Co Si2 /Si肖特基接触特性进行了研究 ,并与电流 -电压 ( I- V)及电容 -电......

通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用......

采用弹道电子发射显微术（ＢＥＥＭ）技术对超薄ＰｔＳｉ／Ｓｉ、ＣｏＳｉ２／Ｓｉ肖特基接触特性进行了研究，并与电流－电压（Ｉ－Ｖ）及电容－电压（Ｃ－Ｖ）测试结果进行了对比。......

通过对硅（100）衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm）双金属层在不同退火温度下的固相反应，在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜，在低温下，用弹道子......