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使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟，对比了双栅和三栅的I-V特性，发现三栅的特性要优于双栅；减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离)，双栅和三栅结构特性之间的差距变小。
亚100nm多栅MOSFET的三维模拟
【摘 要】
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使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟，对比了双栅和三栅的I-V特性，发现三栅的特性要优于双栅；减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离)，双栅和三栅结
【机 构】
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北京大学微电子所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年B05期
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