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本文首先研究了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱材料在不同快速热退火（ＲＴＡ）的条件下的量子阱无序，然后利用该技术研制了两种具有新颖结构的半导体激光器，一种是克服端面损伤的有窗口结构的半导体激光器，实验测得最大输出光功率比无窗口结构器件平均增加约１８％。
基于快速热退火量子阱无序技术的新型半导体激光器
【摘 要】
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本文首先研究了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱材料在不同快速热退火（ＲＴＡ）的条件下的量子阱无序，然后利用该技术研制了两种具有新颖结构的半导体激光器，一种是克服端面损伤的有窗口结构的半导体激光器，实验
【机 构】
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清华大学电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年7期
【基金项目】
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国家自然科学基金杰出青年基金,国家“863”高技术计划
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