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针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。......
本文在近似求解全耗尽SOIMOSFET所满足的二维泊松方程的基础上,建立了阈电压的解析模型。......
本文简述了中子辐照对IGBT特性的影响,给出了器件在中子辐射注量高达10^13n/cm^2时的实验结果。实现发现,随着中子注量的增加,开关时间缩短,阈值电压漂......
在建立SOI MOSFET阈值电压模型的基础上,对其阈值电压特性进行了研究,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度、温度......
研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤,发现在中栅压应力(Vg≈Vd/2)和高栅压应力(Vg≈Vd)条件下,器件损伤表面出单一的幂律......
报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生......