【摘 要】
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对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究。Ge的注入，使Si非晶化，减小了硅化物的形成能量。Ti硅化物在非晶层上形成。与传统的Ti硅化物相比，注Ge硅化物工艺有两
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对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究。Ge的注入，使Si非晶化，减小了硅化物的形成能量。Ti硅化物在非晶层上形成。与传统的Ti硅化物相比，注Ge硅化物工艺有两个明显的特点：一是硅化物形成温度较低；二是硅化物厚度容易控制。采用注Ge硅化物工艺，使源漏薄层电阻约为5.2Ω/□。经过工艺流片，获得了性能良好的器件和电路，其中，当工作电压为5V时，0.8μm级环振电路延迟为45ps。
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