热集成的贵金属催化多孔硅微反应器元件的制备

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用直流腐蚀的方法,在HF溶液中用p型单晶硅[p-Si(100)]制备了单孔Ф3μm×2μm、总孔容积0.0224mm。的多孔硅母模。用浸入置换的方法在多孔硅上沉积了Ag、Au、Pd、Pt的催化晶粒层。用化学镀的方法在多孔硅母模上沉积了一层厚约15μm的Ni镀层,然后用电镀的方法增厚至200μm,并从多孔硅上超声剥离,得到镍阳模。形貌显示,催化晶粒层只在多孔硅的棱边上沉积,不在孔洞中生长,多孔硅在保持多孔形状的同时,负载了一层贵金属催化剂,可以用来制备集成催化功能的微反应器。镍阳模与多孔硅的结合面
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