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提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法。对采用0．18μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计，并提出和分析了基于标准BSIM3V3模型卡的nMOS场效应管的等效电路模型。通过仿真，直接从MOS场效应管的物理版图中提取出各个寄生元件N4／t，使该模型能预测nMOS管从100MHz到40GHz频率范围内的高频性能。