论文部分内容阅读
通过低温光致发光（PL）谱研究氢化对ZnO发光性质的影响。氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体。研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度，特别是I4峰（3．363eV）的强度增加和3．366eV峰出现。比较未氢化样品，氢化样品PL谱显示不同的温度依赖。
氢化后ZnO发光性质的变化
【摘 要】
：
通过低温光致发光（PL）谱研究氢化对ZnO发光性质的影响。氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体。研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度，特别是I4峰（3．363eV）的强度
【机 构】
：
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区
【出 处】
：
发光学报
【发表日期】
：
2008年3期
其他文献
用密度泛函理论B3LYP方法对四种新型D-π-A分子（PKD,NKD,TKD和CKD）进行基态几何构型全优化,计算分子的电离势IP和电子亲和势EA等相关能量。用含时密度泛函（TDDFT）方法计算吸收光
在有效质量近似下，利用量子力学的密度矩阵理论，采用无限深势阱模型，从理论上计算了考虑极化子效应后在导带子带间跃迁时ZnS／CdSe柱型核壳结构量子点二次电光效应（QEOE）和电吸收过
采用强激光辐照硅锗合金，然后高温氧化的方法，在样品表面生成微米级小孔，用高精度扫描电镜观察孔内结构，发现片状纳米结构的存在。用荧光光谱仪测量其光致荧光谱，对于激光辐照（无高
通过较精确地求解能量本征方程获得量子环中量子比特内的电子概率密度分布。对InAs量子环的数值计算表明：电子概率密度分布与电子的坐标（半径、高度，角度）及时间有关。当其中三个
采用真空热蒸镀的方法，在常规的双层器件结构的基础上，设计了三层双异质结有机电致发光器件（OLED）：indium-tin oxide（ITO）／N，N＇-diphenyl，N，N＇-bis（1-naphthyl）（1，1’-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）／2
采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌（DEZn）为锌源，N2O作为氧和氮源，H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征，结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳
<正>After a boyhood spentin a number of countries,Bill Yen enrolled as an undergraduate student at theUniversity of Redlands,a private liberal arts andsciences
实验中以PEDOT：PSS在ITO基片上旋涂作为空穴传输层，并且在旋涂PEDOT：PSS的过程中在与ITO玻璃平面垂直的方向施加一个诱导聚合物取向的高压电场，试验着重研究了所加电场强度对双层
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光（PL）光谱、选择激发光谱以及激发（PLE）光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应
合成了以稀土离子Sm3＋、Eu3＋、Tb3＋、Dy3＋及Tb3＋为发光中心,以苯氧乙酸（HPOA）和邻菲罗啉（phen）为配体,掺杂La3＋、Gd3＋、Y3＋的7种稀土配合物,对配合物进行了C、H、N元素分析、稀土络合滴定