论文部分内容阅读
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度愈高，而且，其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中， Ｎ Ｈ３ 气流的下游的晶体纯度高于上游，而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件，制备出纯度较高的立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体，并对实验结果进行了简单的讨论