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利用激光散射技术，发现可以用微粒诱发击穿来解释真空断路器中偶尔发生的长延时重击穿的产生机理。
影响CuCr触头真空断路器开合并联电容器性能的主要因素
【摘 要】
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利用激光散射技术，发现可以用微粒诱发击穿来解释真空断路器中偶尔发生的长延时重击穿的产生机理。
【出 处】
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高压电器
【发表日期】
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1998年4期
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