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用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片
用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:stchd
【摘 要】
:
介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75mm GaAs MMIC工艺研制,芯片
【作 者】
:
许晓丽
张斌
邵凯
【机 构】
:
南京电子器件研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2004年3期
【关键词】
:
微波单片集成电路
预失真
线性化
三阶互调功率比
邻信道泄漏功率比
MMIC
pre-distortion
linearization
IMR3
ACPR
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介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75mm GaAs MMIC工艺研制,芯片面积约为4mm^2结果表明,2.1GHz时此预失真单片电路可改善放大器的三阶互调分量9dB.
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