【摘 要】
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在有效质量近似下，考虑强的内建电场和应变对材料参量的影响，变分研究了流体静压力对有限高势垒应变纤锌矿GaN/Al0.15Ga0.85N柱形量子点中重空穴激子的结合能、发光波长和电子空穴复合率的影响.数值结果表明，激子结合能和电子空穴复合率随流体静压力的增大而近线性增大，发光波长随流体静压力的增大而单调减小.在量子点尺寸较小的情况下，流体静压力对激子结合能和电子空穴复合率的影响更明显.由于应变效应，为了获得有效的电子-空穴复合过程，GaN量子点的高度必须小于5.5 nm.
【机 构】
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三明学院物理与机电工程学院，福建三明365004
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在有效质量近似下，考虑强的内建电场和应变对材料参量的影响，变分研究了流体静压力对有限高势垒应变纤锌矿GaN/Al0.15Ga0.85N柱形量子点中重空穴激子的结合能、发光波长和电子空穴复合率的影响.数值结果表明，激子结合能和电子空穴复合率随流体静压力的增大而近线性增大，发光波长随流体静压力的增大而单调减小.在量子点尺寸较小的情况下，流体静压力对激子结合能和电子空穴复合率的影响更明显.由于应变效应，为了获得有效的电子-空穴复合过程，GaN量子点的高度必须小于5.5 nm.
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