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在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构，以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器．测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线．该紫外探测器在5V偏压时暗电流为0．42nA，在10V偏压时暗电流为38．5nA．在零偏压下，该紫外探测器在250nm～365nm的波长范围内有较高的响应度，峰值响应度在363nm波长处达到0．12A／W，在365nm波长左右有陡峭的截止边；当波长超过紫外探测器的截止波长(365nm左右)，探