【摘 要】
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本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进GaAsMEsFET枝术的综合工艺和器件模型中。研
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本文计算了注入条件对GaAsMESFET的影响,并报道了最终可得到的器件性能。将Si、Se和Be离子注入GaAs中,就其分布的大量研究结果引进GaAsMEsFET枝术的综合工艺和器件模型中。研究了注入能量对跨导的影响,注入分布和杂质对低栅偏置跨导的影响和退火期间杂质扩散,包封层厚度和栅槽深度对阈值电压均匀性的影响,以及采用Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>和SiO<sub>2</sub>包封注入,受撞原子对阈值电压
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