【摘 要】
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The aim of this study is to develop a reliable method to determine optical constants for 3D-nanonetwork Si thin films manufactured using a pulsed-laser ablation technique that can be applied to other materials synthesized by this tech-nique. An analytical
【机 构】
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Silicon Hall:Micro/Nano Manufacturing Facility,Faculty of Engineering and Applied Science,Ontario Te
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The aim of this study is to develop a reliable method to determine optical constants for 3D-nanonetwork Si thin films manufactured using a pulsed-laser ablation technique that can be applied to other materials synthesized by this tech-nique. An analytical method was introduced to calculate optical constants from reflectance and transmittance spectra. Optical band gaps for this novel material and other important insights on the physical properties were derived from the optical constants. The existing optimization methods described in the literature were found to be complex and prone to errors while determining optical constants of opaque materials where only reflectance data is available. A supervised Deep Learning Algorithm was developed to accurately predict optical constants from the reflectance spectrum alone. The hybrid method introduced in this study was proved to be effective with an accuracy of 95％.
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位错可以通过缩短少数载流子寿命而严重限制多晶硅太阳电池的转换效率,随着对高转换效率的追求,研究多晶硅位错的重要性也随之增加.在介绍现有半导体晶体CRSS和HAS位错模型的基础上,归纳了定向凝固法生长多晶硅中应力、晶界、杂质、过冷度对位错形成的影响机制与缺陷腐蚀和原位检测等多种位错表征方法.重点阐述了控制固液界面形貌、籽晶、掺杂、硅锭制备工艺、硅片退火等技术对减少与抑制多晶硅位错的影响.最后,针对位错模型、位错表征以及多晶硅生长过程中位错的抑制和生长后位错密度降低技术进行了展望.
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